SJ-MOSFET擁有較小的結電容，低導通內阻，所以可以適應更高速的開關電源，提高電 源效率，降低系統成本，實現電源小型化。
SJ-MOSFET產品的高溫漏電（IDSS）特性，主要與產品工藝類型有關，受產品規格、芯 片大小、工藝代數的影響相對較小。
超致半導體的SJ-MOSFET產品，與國際主流多層外延工藝產品的高溫漏電特性基本一致， 而且明顯低于采用Deep-Trench工藝的產品。
高溫漏電特性的良好表現，有助于超致半導體的SJ-MOSFET產品在長時間工作條件下， 保證可靠性和穩定性。
超致SJ-MOSFET擁有比較全的型號，電壓等級覆蓋500V，600V，650V，700V，800V，900V；
電流等級覆蓋2A，5A，7A，10A，11A，15A，20A，30A，47A等全系列產品。
圖片僅供參考 業務咨詢 13352985885 張天成
超致SJ-MOSFET 的第一代產品，性能和可靠性接近英飛凌C3，動態特性接近C6，能
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